ランタノイドの4f電子は多くの場合スピン分極しており、多数(majority)スピン状態がフェルミエネルギーより数eV低くなります。 しかし、LDAやGGAではこれらのバンド構造の特徴を再現することができません。 4f電子に対してオンサイトクーロン反発を導入する+U法を用いた計算によってこの問題を解決することも可能ですが、 OpenMXではより簡便な方法として4f電子のスピン分極を組み込んだオープンコア型擬ポテンシャルが利用可能です (ただし、2013年版のデータベースでは一部の原子のみに対応しています)。 ランタノイドに対するオープンコア型擬ポテンシャルでは、4f電子を内殻状態の一部として扱います。 また部分内殻補正電荷は内殻状態として扱われている4f電子の電荷分布をよく再現するように生成されています。 2013年版データベースに収められているNd_CA13_OC.vps と Nd_PBE13_OC.vps がこの方法で作成されたものです。
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図 4 は、オープンコア擬ポテンシャルを用いた CaCu 型構造の NdCo
の計算結果を示しています。
これを見ると、オープンコア擬ポテンシャルを用いることで、LDA+U法を用いた場合と定性的に同じ結果が得られていることが分かります。
OpenMXでオープンコア擬ポテンシャルを用いる場合には、以下のキーワードにより部分内殻補正電荷をスピン分極させることができます。
<scf.pcc.opencore Nd 1 Co 0 scf.pcc.opencore>これは NdCo