MDおよび構造最適化中の外挿法

構造最適化および分子動力学(MD)シミュレーションでは、SCFの収束を加速するために、過去のステップで生成された再スタートファイルが 自動的に利用されます [44,45]。この方法は電子密度の外挿法に基づいており、外挿に用いる過去のステップ数を キーワード「scf.ExtCharge.History」により設定できます。

   scf.ExtCharge.History      2        # default=2

一連のベンチマーク計算から、「scf.ExtCharge.History」を2に設定すると収束が加速し、それ以上の大きな値を用いると 数値的に不安定となることが分かっています。従って、デフォルト値の2を使用することを推奨します。